ЭБС "КОНСУЛЬТАНТ СТУДЕНТА"
МИСиС (12.00.00 Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии )
Все издания
Показано 1..6 из 6

МИСиС (12.00.00 Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии )

Теория и практика современной акустооптики

АвторыМолчанов В.Я., Китаев Ю.И., Колесников А.И., Нарвер В.Н., Розенштейн А.З., Солодовников Н.П., Шаповаленко К.Г.
ИздательствоМИСиС
Год издания2015
В монографии рассмотрен широкий спектр теоретических проблем, возникающих при изучении взаимодействия света с полем акустической волны, пути их решения и представлены результаты технической реализации полученных результатов в спектроскопии, оптической обработке информации, лазерной технике, оптоволоконной связи, кристаллофизике, микробиологии.<br> Теоретически обоснована возможность создания акустооптических (АО) адаптивных мягких диафрагм для мощных лазерных машин. Впервые представлен дисперсионный вид АО взаимодействия, который характеризуется комплексными спектральными аппаратными функциями. Рассмотрено формирование произвольных спектральных функций пропускания монохроматоров, не имеющих аналогов в классической спектрометрии. Представлены результаты исследований управления фемтосекундными и субпикосекундными лазерными импульсами в OPCPA и CPA лазерных системах посредством АО дисперсионных линий задержки. Изложена теория многочастотной дифракции. Рассмотрены гиперспектральные и спектрополяриметрические методы и АО аппаратура анализа изображений объектов. Разобраны примеры наблюдательных артефактов. Проанализированы нанотехнологические аспекты изготовления АО приборов, которые не имеют физических и химических механизмов деградации свойств во времени, и физические принципы разработки и конструирования электронных систем управления для АО приборов, в том числе дисперсионных. Детально рассмотрены принципы работы сканирующих АО систем. Представлена новая лазерная система с энергетическим воздействием на исследуемый объект в области локализации единичного пикселя. Уделено внимание созданию и применению АО сканирующих систем в волоконных линиях связи. Рассмотрены структура, свойства, способы выращивания и дефекты одного из самых востребованных в фотонике АО материалов - монокристаллов парателлурита. Показана динамика развития технологии выращивания и повышения структурной и оптической однородности этих кристаллов. <br>Настоящая монография предназначена для исследователей и научных работников в области фотоники, лазерной физики и спектроскопии, может быть рекомендована студентам старших курсов и аспирантам соответствующих специальностей.
Загружено 2019-12-11 03:08:00
Представлен материал по курсу "Технология объемных монокристаллов полупроводников и диэлектриков". Рассматриваются вопросы роста объемных монокристаллов иодата лития из раствора. Анализируются существующие представления о механизмах роста кристаллов и методах управления этими процессами. Показана практическая направленность от начального математического моделирования процессов получения монокристаллов до их технологического осуществления.<br> Подробно изложен материал, связанный с контролируемым характером распределения по объему кристалла микропримеси. Для усвоения учебного процесса все разделы содержат контрольные вопросы. <br>Предназначено для студентов, специализирующихся по направлению 150100 "Материаловедение и технологии материалов" бакалаврской и магистерской подготовки.
G
M
T
Y
Определить языкАзербайджанскийАлбанскийАмхарскийАнглийскийАрабскийАрмянскийАфрикаансБаскскийБелорусскийБенгальскийБирманскийБолгарскийБоснийскийВаллийскийВенгерскийВьетнамскийГавайскийГаитянскийГалисийскийГолландскийГреческийГрузинскийГуджаратиДатскийЗулуИвритИгбоИдишИндонезийскийИрландскийИсландскийИспанскийИтальянскийЙорубаКазахскийКаннадаКаталанскийКиргизскийКитайский ТрадКитайский УпрКорейскийКорсиканскийКурманджиКхмерскийКхосаЛаосскийЛатинскийЛатышскийЛитовскийЛюксембургскийМакедонскийМалагасийскийМалайскийМалаяламМальтийскийМаориМаратхиМонгольскийНемецкийНепальскийНорвежскийПанджабиПерсидскийПольскийПортугальскийПуштуРумынскийРусскийСамоанскийСебуанскийСербскийСесотоСингальскийСиндхиСловацкийСловенскийСомалийскийСуахилиСунданскийТаджикскийТайскийТамильскийТелугуТурецкийУзбекскийУкраинскийУрдуФилиппинскийФинскийФранцузскийФризскийХаусаХиндиХмонгХорватскийЧеваЧешскийШведскийШонаШотландский (гэльский)ЭсперантоЭстонскийЯванскийЯпонский
АзербайджанскийАлбанскийАмхарскийАнглийскийАрабскийАрмянскийАфрикаансБаскскийБелорусскийБенгальскийБирманскийБолгарскийБоснийскийВаллийскийВенгерскийВьетнамскийГавайскийГаитянскийГалисийскийГолландскийГреческийГрузинскийГуджаратиДатскийЗулуИвритИгбоИдишИндонезийскийИрландскийИсландскийИспанскийИтальянскийЙорубаКазахскийКаннадаКаталанскийКиргизскийКитайский ТрадКитайский УпрКорейскийКорсиканскийКурманджиКхмерскийКхосаЛаосскийЛатинскийЛатышскийЛитовскийЛюксембургскийМакедонскийМалагасийскийМалайскийМалаяламМальтийскийМаориМаратхиМонгольскийНемецкийНепальскийНорвежскийПанджабиПерсидскийПольскийПортугальскийПуштуРумынскийРусскийСамоанскийСебуанскийСербскийСесотоСингальскийСиндхиСловацкийСловенскийСомалийскийСуахилиСунданскийТаджикскийТайскийТамильскийТелугуТурецкийУзбекскийУкраинскийУрдуФилиппинскийФинскийФранцузскийФризскийХаусаХиндиХмонгХорватскийЧеваЧешскийШведскийШонаШотландский (гэльский)ЭсперантоЭстонскийЯванскийЯпонский
Звуковая функция ограничена 200 символами
Настройки : История : Обратная связь : DonateЗакрыть
Загружено 2019-12-11 03:09:57
Учебное пособие дает представление о взаимодействии электромагнитного излучения с материалами, в том числе и с полупроводниками. Описаны фотоэлектрические явления в полупроводниках. Приведены примеры материалов, используемых для изготовления современных фотоэлементов. Пособие предназначено для подготовки специалистов по специальности 150601.65 "Материаловедение и технология новых материалов" в рамках курсов "Основы космических технологий" и "Технологическое оборудование, механизация и автоматизация в производстве и обработке материалов электронной техники", магистров по направлению "Материаловедение и технология новых материалов" в рамках курса "Физика и технологии приборов фотоники" и аспирантов по направлению "Физика полупроводников".
Загружено 2017-08-23 01:59:10

Полупроводниковые оптоэлектронные приборы

АвторыЮрчук С.Ю., Диденко С.И., Кольцов Г.И.
ИздательствоМИСиС
Год издания2006
Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам "Физика твердого тела", "Физика полупроводниковых приборов", "Квантовая и оптическая электроника". Предназначен для студентов специальности 210104 (2001) "Микроэлектроника и твердотельная электроника" (специализация "Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов").
Загружено 2017-08-25 01:57:30

Технология эпитаксиальных слоев и гетерокомпозоций

АвторыКожитов Л.В., Крапухин В.В., Улыбин В.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2001
Даны краткая история и пути и перспективы развития микроэлектроники, в частности, в области технологии эпитаксиальных гетерокомпозиций. <br>Кратко описаны процессы парофазной эпитаксии химическим осаждением и жидкофазной эпитаксии кремния, соединений ΑΙΠΒν и их твердых растворов, применяемого оборудования. Приведены математические модели этих процессов, включающие термодинамический и кинетический блоки. При получении гетерокомпозиций учитываются упругие напряжения и рассматриваются пути их устранения, в частности, создание изопериодных композиций и сверхрешеток. <br>Кроме того, приведены восемь комплексных задач для самостоятельного вычислительного эксперимента при выборе параметров процесса, а также процедура решения задач с использованием разработанного пакета программ на ПЭВМ. <br>Предназначено для студентов, обучающихся по специальности 200100 (направление 654100), а также для научных сотрудников и инженеровтехнологов, занимающихся разработкой систем управления и оптимизации технологических процессов.
Загружено 2019-09-17 03:34:11
В пособии представлен метод расчета и анализа параметров КМОП-схем с минимальными топологическими размерами 1,25 мкм; учтен ряд основных параметров и физических эффектов, существенных для МОП-транзистора с коротким каналом: концентрация примеси в подложке, снижение потенциального барьера под действием стока, эффекты горячих электронов, пробивное напряжение переходов, насыщение скорости носителей и т. д.<br> В пособии показано, как с помощью достаточно простых аналитических выражений можно определить базовые конструктивно-технологические параметры ИС и рассчитать динамические параметры весьма близкие к тем, которые дает более детальное моделирование по пакетам программ схемотехнического моделирования MicroCap и PSPICE. <br>Предполагается, что студенту известны физические принципы работы МОП-транзисторов, и поэтому они не рассматриваются.
Загружено 2019-10-08 03:12:51
  • 1