Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы технологии электронной компонентной базы
Глава 2. Измерение удельного сопротивления металлических и полупроводниковых слоев четырехзондовым методом
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
Глава 1. Измерение предельного вакуума и быстроты действия турбомолекулярного насоса
Глава 2. Измерение удельного сопротивления металлических и полупроводниковых слоев четырехзондовым методом
Глава 3. Определение глубины залегания р-n-перехода методом сферического шлифа
Глава 4. Исследование оптических свойств тонкопленочных структур методами спектрофотометрии
Глава 5. Исследование кинетики процесса ионного обмена
Данный блок поддерживает скрол*