АвторыАкчурин Р.Х., Мармалюк А.А.
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
ИздательствоТехносфера
Тип изданияучебное пособие
Год издания2018
Скопировать биб. запись
Для каталогаАкчурин, Р. Х. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники / Акчурин Р. Х. , Мармалюк А. А. - Москва : Техносфера, 2018. - 488 с. - ISBN 978-5-94836-521-3. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/ISBN9785948365213.html (дата обращения: 16.04.2024). - Режим доступа : по подписке.
АннотацияВ книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.<br> Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. <br>Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.