Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Глава 1. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
Глава 2. Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате введения структурных дефектов при радиационном облучении
Глава 3. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2
Глава 4. Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур
Глава 5. Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП-и КМОП-структур
Глава 6. Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект ELDRS)
Глава 7. Одиночные события в БИС при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
Список литературы
Список сокращений
Данный блок поддерживает скрол*