Поиск
Закладки
Озвучить текст Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs/GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN, и детекторы субмиллиметрового и ИК-излучения на их основе

ГЛАВА 2. РАЗОГРЕВ ЭЛЕКТРОНОВ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В ТОНКИХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ. ОБЗОР

2.1. МЕХАНИЗМ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ОТКЛИКА ПРИ ПОГЛОЩЕНИИ ОДИНОЧНЫХ ФОТОНОВ В СВЕРХПРОВОДНИКОВОЙ ТОНКОЙ ПЛЕНКЕ В УСЛОВИЯХ ПРОТЕКАНИЯ ТРАНСПОРТНОГО ТОКА

Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте просмотр в виде pdf. Вам доступно 2 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется Registration
На предыдущую страницу

Предыдущая страница

Следующая страница

На следующую страницу
ГЛАВА 2. РАЗОГРЕВ ЭЛЕКТРОНОВ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В ТОНКИХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ. ОБЗОР
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

Данный блок поддерживает скрол*