Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физика полупроводниковых приборов : расчет параметров биполярных приборов : сб. задач
1. Соотношения из курса "Физика конденсированного состояния"
Поставить закладку
1.1. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны
1.2. Расчет концентраций носителей заряда
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 3 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
1. Соотношения из курса "Физика конденсированного состояния"
-
1.1. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны
1.2. Расчет концентраций носителей заряда
1.3. Уравнение электронейтральности и расчет положения уровня Ферми при наличии легирующей примеси
1.4. Явления переноса носителей заряда в полупроводниках
1.5. Уравнение непрерывности
1.6. Контакт полупроводник-металл
2. Расчет параметров полупроводникового диода
+
3. Расчет параметров биполярного транзистора
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*