Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Космическая электроника. Книга 1
Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки
Поставить закладку
6.1. О терминологии субмикронной микроэлектроники
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 12 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Введение
Перечень условных обозначений
Глава 1. Современные космические аппараты
+
Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов
+
Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники
+
Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов
+
Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств
+
Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки
-
6.1. О терминологии субмикронной микроэлектроники
6.2. Тенденции и перспективы развития современной технологии в микроэлектронике
6.3. Особенности субмикронных МОП-транзисторов
6.4. Конструктивно-технологические особенности высокотемпературных диодов Шоттки
6.5. Конструктивно-технологические особенности формирования структур диодов Шоттки с повышенной устойчивостью к разрядам статического электричества
Литература к главе 6
Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы
+
Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем
+
Данный блок поддерживает скрол*