Искать
Везде
По названиям
По авторам
Издательство
Тип издания
Год издания
Publishing Houses
Abris
Akademichesky Proyekt
Alpina PRO
Alpina Biznes Bux
Alpina non-fikshn
Alpina Pablisher
Altair
ANTELKOM
ASV
Aspekt-Press
AST-PRESS KNIGA
Belorusskaya nauka
BINOM
Blok-Print
Briansky GAU
VAKO
VGUIT
Veche
VKN
VLADOS
Vremia
VSHOUZ-KMK
Visshaya shkola ekonomiki
Visheyshaya shkola
Galart
Gangut
Genezis
GIORD
Gornaya kniga
Goriachaya liniya - Telekom
Gramota
GEOTAR-Media
Dashkov i K
Delo
Delovoy stil
Direkt-Media
Direktmedia Pablishing
Dmitry Sechin
DMK-press
DODEKA
Zertsalo-M
Zlatoust
Znak
Ivanovskaya GSKHA
Ivanovsky GKHTU
Izdatelsky dom "GENZHER"
Izdatelsky dom V. Yema
Institut obshegumanitarnikh issledovany
Institut psikhologii RAN
Intellekt-Tsentr
Intellektualnaya literatura
Intermediator
Intermediya
INTUIT
Infra-Inzheneriya
Kazansky GMU
Karo
KGAVM
Knigodel
Knizhny mir
KNITU
Kogito-Tsentr
KolosS
Korvet
KTK "Galaktika"
KFU
Laboratoriya znany
Litterra
Logos
Mashinostroyeniye
MGIMO
MGTU im. N.E. Baumana
MGU im. Lomonosova
Meditsina
Mezhdunarodniye otnosheniya
Menedzher zdravookhraneniya
Mir i obrazovaniye
MISI - MGSU
MISiS
Molodaya gvardiya
MEI
Nizhegorodsky GASU
Novosibircky GU
Novosibirsky GTU
Olimpiya
Orenburgsky GU
Original-maket
Pero
Perse
Politekhnika
Progress-Traditsiya
Prometey
Prosvesheniye
Prospekt
Prospekt Nauki
R. Valent
RG-Press
RGGU
Remont i Servis 21
RIPO
Rodniki
RUDN
Rukopisniye pamiatniki Drevney Rusi
Rusistika
Russko-kitayskoye yuridicheskoye obshestvo
Russkoye slovo - uchebnik
RiazGMU
Sankt-Peterburgsky mediko-sotsialny institut
SAFU
V. Sekachev
Sekvoyia
SibGUTI
SibGUFK
Sibirskoye universitetskoye izdatelstvo
Sinergiya
SKIFIYA
Sovetsky sport
SOLON-Press
Sotsium
Sport
Stavropolsky GAU
Statut
Strelka Press
Studiya ARDIS
SFU
TGASU
Text
Terevinf
Terra-Sport
Tekhnosfera
Tomsky GU
Tochka
Universitetskaya kniga
Fenix
Fizmatlit
Finansi i statistika
Flinta
Khimizdat
Khobbiteka
Chelovek
Expert-Nauka
Yuniti-Dana
Yustitsinform
YUFU
Yaziki slavianskikh kultur
Check allUncheck all
**Данные блоки поддерживают скрол
Title Types
avtoreferat dissertatsii
adresnaya/telefonnaya kniga
antologiya
afisha
biobibliografichesky spravochnik/slovar
biografichesky spravochnik/slovar
bukvar
dokumentalno-khudozhestvennoye izdaniye
zadachnik
ideografichesky slovar
instruktivno-metodicheskoye izdaniye
instruktsiya
katalog
katalog auktsiona
katalog biblioteki
katalog vistavki
katalog tovarov i uslug
materiali konferentsii (syezda, simpoziuma)
monografiya
muzeyny katalog
nauchno-khudozhestvennoye izdaniye
nauchny zhurnal
nomenklaturny katalog
orfografichesky slovar
orfoepichesky slovar
pamiatka
perevodnoy slovar
pesennik
praktikum
prakticheskoye posobiye
prakticheskoye rukovodstvo
preyskurant
preprint
prolegomeni, vvedeniye
promishlenny katalog
prospekt
putevoditel
rabochaya tetrad
razgovornik
samouchitel
sbornik nauchnikh trudov
slovar
spravochnik
standart
tezisi dokladov/soobsheny nauchnoy konferentsii (syezda, simpoziuma)
terminologichesky slovar
tolkovy slovar
ustavnoye izdaniye
uchebnaya programma
uchebnik
uchebno-metodicheskoye posobiye
uchebnoye nagliadnoye posobiye
uchebnoye posobiye
uchebny komplekt
khrestomatiya
chastotny slovar
entsiklopedichesky slovar
entsiklopediya
etimologichesky slovar
yazikovoy slovar
Check allUncheck all
**Данные блоки поддерживают скрол вверх/вниз

МИСиС (28.00.00 Нанотехнологии и наноматериалы)

Панель управления
Показано 33..48 из 58

Элионная технология в микро- и наноиндустрии : ускоренные ионы

АвторыКузнецов Г.Д., Кушхов А.Р., Сергиенко А.А., Харламов Н.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
В учебном пособии рассматриваются в основном практические результаты по изменению параметров приповерхностных слоев материалов электронной техники ионным внедрением примесей. Приводятся результаты по особенностям распределения внедренной примеси в аморфных и кристаллических материалах и их теоретическое обоснование. Анализируются результаты по легированию приповерхностных слоев с использованием так называе- мых атомов отдачи при ионном внедрении. Соответствует программе курса "Элионная технология в микро- и наноиндустрии". Предназначено для магистров, специализирующихся по направлениям "Электроника и наноэлектроника" и "Нанотехнология и микросистемная техника", и может быть полезно обучающимся по направлению "Наноматериалы". ...
Downloaded 2017-08-25

Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом : ускоренные электроны : учеб. пособие

АвторыКузнецов, Г.Д.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
Учебное пособие посвящено основам физики взаимодействия ускоренных электронов с твердым телом, широко применяемых в электронике. Рассматривается энергетика и основные взаимодействия электронов с веществом в зависимости от их энергии. Анализируются особенности взаимодействия электронов с тонкопленочными гетерокомпозициями, включая дефектообразование. Рассматриваются основы теории электронно-лучевого нагрева облучаемого электронами твердого тела. В каждой главе приводятся контрольные вопросы для проверки усвоения материала, темы практических занятий и индивидуальных домашних заданий. Учебное пособие подготовлено по рекомендации горно-металлургической секции PAEН. Соответствует программе курса "Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом". Предназначено для бакалавров и магистров, обучающихся по направле- нию "Электроника и наноэлектроника" и может быть полезно для обучаю- щихся по направлению "Нанотехнологии и микросистемная техника". ...
Downloaded 2017-08-25

Процессы получения наночастиц и наноматериалов. Нанотехнологии : нанотехнологии

АвторыДзидзигури, Э.Л.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
В учебном пособии рассмотрены вопросы терминологии в области нанотехнологий, проанализирована взаимосвязь размерных эффектов и области применимости нанотехнологий, описаны основные группы нанотехнологий, дана характеристика ряда новых, промышленно освоенных нанотехнологий. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210602 "Наноматериалы", 210100 "Электроника и наноэлектроника", а также для студентов других направлений, преподавателей, аспирантов и слушателей курсов повышения квалификации. ...
Downloaded 2017-08-25

Соврменные методы исследования наноструктур: метод оптической поверхностно-плазмонной микроскопии

АвторыВалянский С.И., Наими Е.К.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
Настоящее пособие является первым из планируемых учебных пособий под общим названием "Современные методы исследования наноструктур". Цель данного пособия - дать представление о бурно развивающемся в последнее время методе исследования вещества с помощью поверхностных плазмон-поляритонных волн и, в частности, о методе оптической поверхностно-плазмонной микроскопии. Рассмотрены вопросы теории взаимодействия электромагнитных волн с веществом (нормальная и аномальная дисперсия), условия возбуждения и распространения поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) на границе раздела металл - диэлектрик, дисперсионное соотношение для ПЭВ, различные типы ПЭВ. Описаны существующие методы получения и регистрации ПЭВ. Приведены многочисленные примеры применения поверхностного плазмонного резонанса (ППР), в том числе: определение оптических характеристик металлов с помощью ПЭВ, оптический микроскоп на поверхностных плазмонах, ППР-спектроскопия биомолекул, сенсорные устройства и др. Дается представление о новом классе материалов - метаматериалах и возможностях их применения (суперлинза, фотонные кристаллы). Очерчены направления развития новых отраслей науки и техники, таких как нанофотоника и плазмоника. <br>Содержание пособия соответствует учебной программе курса "Наноматериалы". <br>Предназначено для самостоятельной работы студентов магистратуры и аспирантов, обучающихся по направлениям 150100 (Металлургия) и 210602 (Электроника и наноэлектроника). ...
Downloaded 2019-12-25

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники

АвторыТаперо К.И.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
В курсе лекций по дисциплине "Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения" рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства.<br> Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника" и по специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Downloaded 2019-10-24

Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур

АвторыКовалев А.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники - биполярных и полевых транзисторов - в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3-1,5 мкм. ...
Downloaded 2019-09-19

Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур: диффузия

АвторыЮ.В. Осипов, М.Б. Славин
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
В учебном пособии представлены выводы уравнения диффузии и уравнения Пуассона. Получено уравнение диффузии, учитывающее наличие электрического поля в области контакта двух различных материалов. Рассмотрено влияние химических реакций на процессы диффузии. Приведены решения диффузионных задач, в которых учтено: отличие коэффициентов диффузии на различных границах раздела фаз, присутствие внутреннего электрического поля, наличие химических реакций в области контакта материалов. Представлены программы на языке С++, дающие возможность читателю самостоятельно решать задачи, указанные выше, и их комбинации. Соответствует государственному образовательному стандарту дисциплины "Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и нано-структур". Предназначено для магистров, обучающихся по направлениям 210100 "Электроника и наноэлектроника" и 150100 "Материаловедение и технологии материалов". ...
Downloaded 2017-08-25

Процессы получения наночастиц и наноматериалов, нанотехнологии

АвторыБлинков И.В., Добаткин С.В., Кузнецов Д.В., Филонов М.Р., Волхонский А.О.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
Приведено описание лабораторных работ по процессам получения и изучению свойств основных классов наноструктурных материалов: нанопорошков; объемных наноматериалов, полученных методами интенсивной пластической деформации и контролируемой кристаллизацией из аморфного состояния; наноструктурных покрытий. <br>Предназначен для студентов специальности 210602 "Наноматериалы и нанотехнологии". Может быть использован студентами специальности 150701 "Физико-химия процессов и материалов" при изучении спецкурсов. ...
Downloaded 2020-01-03

Фазовые равновесия и структурообразование. Превращения в твердом состоянии в металлах и сплавах

АвторыЛилеев А.С., Малютина Е.С., Старикова А.С.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
В курсе лекций учтены особенности учебного плана и уделено значительное внимание физико-химическим и термодинамическим основам процессов, приводящих к структурным изменениям в металлах и сплавах. Изложен материал, который является обобщением последних достижений в области металловедения. Рассмотрены роль термоупругой энергии при мартенситном механизме полиморфного превращения и эффект памяти формы, имеющий практическое применение. Включены вопросы, связанные с методами наблюдения доменной структуры и взаимосвязи металлографической и магнитной доменной структур. Даны современные представления о структуре границы зерна с позиции модели решеток совмещенных узлов. Приведено описание решеток совмещенных узлов, кратко представлены свойства общих и специальных границ. Детально рассмотрены вопросы структурообразования и термодинамики спинодального механизма распада твердого раствора. <br>Курс предназначен для студентов специальностей "Физико-химия процессов и материалов", "Физика металлов", "Наноматериалы" направления 150700 "Физическое материаловедение", а также для бакалавров по направлению "Физика", изучающих курс "Фазовые равновесия и структурообразование". ...
Downloaded 2019-10-24

Теория и расчет полупроводниковых приборов: Твердотельная электроника

АвторыКольцов Г.И., Диденко С.И., Орлова М.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
В лабораторном практикуме приводится описание лабораторных работ, предназначенных для детального и углубленного изучения физических процессов в приборах и структурах современной полупроводниковой электроники - диодах и биполярных транзисторах. <br>Предназначен обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника". ...
Downloaded 2019-10-27

Перспективные коррозионно-стойкие материалы и технологии защиты металлов от коррозии: Аморфные и нанокристаллические материалы

АвторыПустов Ю.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
Описана история создания аморфных металлических сплавов. Приведены методы получения и условия образования аморфных структур. Изложены современные представления о структуре аморфных сплавов и процессах ее эволюции. Систематизированы сведения о влиянии природы химических элементов, входящих в состав сплавов, на их коррозионную стойкость. Рассмотрены особенности и закономерности коррозионно-электрохимического поведения аморфных сплавов системы Fe-Si-B-Cu-Nb (типа Finemet) в связи с процессами нанокристаллизации. Курс лекций предназначен для студентов специальности 150701 "Физико-химия процессов и материалов". Может быть также полезен студентам, обучающимся по специальностям 150702 "Физика металлов" и 210602 "Наноматериалы" при изучении курса "Наноматериалы и нанотехнологии" ...
Downloaded 2017-08-29

Физико-химия наноструктурных материалов

АвторыЛёвина В.В., Конюхов Ю.В., Филонов М.Р., Кузнецов Д.В., Чупрунов К.О.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
В последние годы отмечается быстрый рост научного, промышленного и коммерческого интереса к нанотехнологиям, связанным с новым классом материалов, которые называют наноструктурными или наноматериалами. Появление этого класса материалов отражает стремление к миниатюризации в практике различных объектов и возможность создания новых функциональных материалов с заданными свойствами. Целью выполнения лабораторных работ является овладение навыками в получении нанопорошков методами химического диспергирования, а также изучение ряда физико-химических характеристик синтезированных материалов. Предназначен для студентов специальностей 150700 "Физическое материаловедение", 150701 "Физико-химия процессов и материалов", 210602 "Наноматериалы". ...
Downloaded 2017-08-25

Дифракционные и микроскопические методы и приборы для анализа наночастиц и наноматериалов

АвторыВекилова Г.В., Иванов А.Н., Ягодкин Ю.Д.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
В учебном пособии рассмотрены физические основы методов и аппаратура для проведения рентгеноструктурного, электроно- и нейтронографического анализов, просвечивающей электронной микроскопии, растровой электронной микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа, позволяющие исследовать химический состав и структуру различных материалов, в том числе и нанокристаллических. Особое внимание уделено описанию возможностей этих методов, их точности, чувствительности и локальности. <br>Соответствует программе курса "Методы и приборы для анализа и диагностики наночастиц и наноматериалов". <br>Предназначено для студентов, обучающихся по направлению "Нанотехнология" (специальность "Наноматериалы") и по направлению "Материаловедение и технологии материалов" (профиль "Материаловедение и технологии наноматериалов и наносистем"). ...
Downloaded 2019-12-17

Фазовые равновесия и структурообразование

АвторыЛилеев А.С., Малютина Е.С.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
Сборник задач по диаграммам фазового равновесия трехкомпонентных систем и диаграмме равновесия системы железо-углерод составлен с целью привития студентам компетентностных навыков в пользовании диаграммами фазового равновесия для построения кривых охлаждения и нагрева, для определения состава и количественного соотношения фаз и структурных составляющих в сплавах.<br> Предназначен для студентов специальностей 150701, 150702, 210602, 200503 и направлений 150100 и 010700. ...
Downloaded 2020-01-05

Органическая химия

АвторыСтаханова С.В., Свириденкова Н.В., Калашник А.Т., Чернова О.П.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
В практикуме приведены лабораторные работы по курсу органической химии в соответствии с программой курса по данной дисциплине. Даны основные правила техники безопасности при работе с органическими веществами и первой помощи при несчастных случаях.<br> Для студентов, специализирующихся в области обогащения и металлургии руд цветных металлов, нанотехнологии (материаловедения), безопасности жизнедеятельности и защиты окружающей среды (130405, 210602, 150102, 280101, 280202). ...
Downloaded 2020-01-06

Гетероструктурная наноэлектроника

АвторыКовалев А.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
Пособие посвящено анализу нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3.. .1,5 мкм.<br>Предназначено для студентов, обучающихся по специальности "Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника" и направлению "Электроника и микроэлектроника". ...
Downloaded 2020-01-05
Панель управления
Android Logo
iOS Logo
Читайте книги в приложении Консутльтант Студента на iOS, Android или Windows
Показано 33..48 из 58