Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Глава 1. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
-
1.1. Краткое описание радиационных характеристик в окружающем пространстве
1.1.1. Радиационные условия в космическом пространстве
1.1.2. Ионизирующие излучения ядерного взрыва
1.1.3. Ионизирующие излучения атомных электростанций
1.2. Величины, характеризующие ионизирующее излучение и его взаимодействие с веществом
1.2.1. Характеристики ионизирующего излучения и его поля
1.2.2. Характеристики взаимодействия ионизирующего излучения с веществом
1.2.3. Дозиметрические величины и единицы
1.2.4. Характеристики изотопных источников ионизирующих излучений
1.3. Физические процессы при взаимодействии ионизирующих излучений с материалами электронной техники
1.3.1. Первичные радиационные эффекты в полупроводниковых материалах
1.3.2. Смещение атомов из узлов решетки при воздействии ионизирующих излучений
1.3.3. Ионизация при воздействии проникающей радиации на полупроводниковые материалы
1.3.4. Ядерные превращения при воздействии ионизирующих излучений
1.3.5. Термостабильные радиационные центры в полупроводниках
1.3.6. Изменение электрофизических параметров полупроводников при радиационном облучении
Глава 2. Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате введения структурных дефектов при радиационном облучении
+
Глава 3. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2
+
Глава 4. Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур
+
Глава 5. Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП-и КМОП-структур
+
Глава 6. Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект ELDRS)
+
Глава 7. Одиночные события в БИС при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
+
Список литературы
Список сокращений
Данный блок поддерживает скрол*