ЭБС "КОНСУЛЬТАНТ СТУДЕНТА"
Студенческая электронная библиотека

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs/GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN, и детекторы субмиллиметрового и ИК-излучения на их основе

Для каталогаЧулкова, Г. М. Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs/GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN, и детекторы субмиллиметрового и ИК-излучения на их основе : монография / Чулкова Г. М. , Корнеев А. А. , Смирнов К. В. , Окунев О. В. , Семенов А. В. , Дивочий А. В. , Тархов М. А. , Воронов Б. М. , Каурова Н. С, Селезнев В. А. , Гольцман Г. Н. - Москва : Издательство МПГУ, 2012. - 140 с. - ISBN 978-5-4263-0118-4. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/ISBN9785426301184.html (дата обращения: 15.06.2021). - Режим доступа : по подписке.
АвторыЧулкова Г.М., Корнеев А.А., Смирнов К.В., Окунев О.В., Семенов А.В., Дивочий А.В., Тархов М.А., Воронов Б.М., Каурова Н.С, Селезнев В.А., Гольцман Г.Н.
ИздательствоПрометей
Тип изданиямонография
Год издания2012
ПрототипЭлектронное издание на основе: Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs/GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN, и детекторы субмиллиметрового и ИК-излучения на их основе [Электронный ресурс] / Чулкова Г.М., Корнеев А.А., Смирнов К.В., Окунев О.В., Семенов А.В., Дивочий А.В., Тархов М.А., Воронов Б.М., Каурова Н.С, Селезнев В.А., Гольцман Г.Н. - М. : Прометей, 2012. - ISBN 978-5-4263-0118-4.
Озвучить текст
АннотацияМонография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электрон-фононное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интесивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фононами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники.
Загружено 2014-10-10 12:00:00