ЭБС "КОНСУЛЬТАНТ СТУДЕНТА"
Все издания

Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур

Для каталогаКовалев, А. Н. Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : моногр. / Ковалев А. Н. - Москва : МИСиС, 2011. - 365 с. - ISBN 978-5-87623-489-6. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/ISBN9785876234896.html (дата обращения: 22.09.2021). - Режим доступа : по подписке.
АвторыКовалев А.Н.
ИздательствоМИСиС
Тип изданиямонография
Год издания2011
ПрототипЭлектронное издание на основе: Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : моногр. / А.Н. Ковалев. - М. : Изд. Дом МИСиС, 2011. - 364 с. - ISBN 978-5-87623-489-6.
Озвучить текст
АннотацияРассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники - биполярных и полевых транзисторов - в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3-1,5 мкм.
Загружено 2019-09-19