ЭБС "КОНСУЛЬТАНТ СТУДЕНТА"
МИСиС (28.00.00 Нанотехнологии и наноматериалы )
Все издания
Показано 17..32 из 51

МИСиС (28.00.00 Нанотехнологии и наноматериалы )

Нанокристаллические материалы из металлоорганики

АвторыЕрмилов А.Г., Лопатин В.Ю.
ИздательствоМИСиС
Год издания2013
Приведен обзор методов получения, консолидации, свойств и областей применения наноматериалов. Показано, что получение наноструктур из ме таллоорганических материалов позволяет устранить основные препятствия для широкого применения наноматериалов в порошковой металлургии: окисление их в процессе подготовительных операций и сложность равномерного распределения по объему формовки. <br>На примере синтеза монокарбида вольфрама показано действие промежуточных метастабильных фаз на механизм карбидизации. Использование таких фаз как активаторов карбидизации позволяет получать монокарбид вольфрама и смесь монокарбида вольфрама с кобальтом с размером областей когерентного рассеяния 15...25 нм. Показана возможность формирования из металлоорганических смесей высокопористых материалов с пористостью 60...80 % из молибдена и диоксида циркония с прочностью 5...20 МПа. Применение металлоорганики в качестве пластификатора позволяет активировать спекание порошковых материалов и повысить прочность прессовок на 5.7 % по сравнению с традиционными пластификаторами.<br>Предназначена для научных сотрудников и аспирантов, работающих в области порошкового материаловедения. Может быть полезна студентам, обучающимся по профилям "Металлургия цветных металлов" и "Функциональные материалы и покрытия". ...
Загружено 2019-12-25

Основы радиационной стойкости изделий электронной техники. Радиационные эффекты в изделиях электронной техники

АвторыТаперо К.И., Диденко С.И.
ИздательствоМИСиС
Год издания2013
Учебное пособие посвящено вопросам деградации полупроводниковых приборов и интегральных схем вследствие дефектов, образующихся при воздействии космической радиации. Рассмотрены следующие вопросы: радиационные условия в космосе; влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на свойства полупроводников; деградация кремниевых приборов и микросхем вследствие радиационных эффектов при воздействии ионизирующих излучений космического пространства; влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на деградацию изделий оптоэлектроники; особенности испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства. <br>Предназначено для бакалавров и магистров, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника", а также студентов, обучающихся по специальности "Микроэлектроника и твердотельная электроника". Будет полезно специалистам, работающим в области конструирования изделий полупроводниковой электроники и технологии их изготовления, а также обеспечения надежности и радиационной стойкости комплектующих элементов и аппаратуры. ...
Загружено 2019-10-26

Методы исследования характеристик и свойств металлов

АвторыДзидзигури Э.Л.
ИздательствоМИСиС
Год издания2013
В лабораторном практикуме изложено описание устройства дифрактометра "Дифрей" и его программного обеспечения. В отдельной главе приведены лабораторные работы по исследованию материалов методами рентгеновской дифрактометрии. Представленный материал является руководством к практической работе по съёмке дифрактограмм на дифрактометре "Дифрей" и определению фазового состава, параметров кристаллической структуры, размеров областей когерентного рассеяния (ОКР) у порошковых материалов, а также решению разнообразных задач материаловедения.<br> Лабораторный практикум предназначен для бакалавров и магистров, обучающихся по направлениям 150100 "Материаловедение и технологии материалов", 150400 "Металлургия", 152100 "Наноматериалы", а также для студентов, магистрантов и аспирантов других направлений и слушателей курсов повышения квалификации. Может быть полезен преподавателям, инженерам и научным работникам, не имеющим специальной подготовки для работы на рентгеновском дифрактометре с позиционно-чувствительным детектором. ...
Загружено 2019-09-20

Наноэлектроника: курс лекций

АвторыМ.Н. Орлова, И.В. Борзых
ИздательствоМИСиС
Год издания2013
Рассмотрены физические и технологические основы наноэлектроники. Описаны подходы, позволяющие формировать элементы электронной техники в приборах и устройствах наноэлектроники. Проанализированы тенденции развития наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Курс лекций представляет собой практическое руководство для студентов и аспирантов технических вузов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника". ...
Загружено 2017-08-29

Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур

АвторыС.Ю. Юрчук
ИздательствоМИСиС
Год издания2013
Курс лекций описывает основные математические модели фотолитографии и электронной литографии, используемых при создании субмикронных структур. Приведены модели отдельных процессов фотолитографии: формирование изображения в фоторезисте, экспонирование, травление фоторезиста. Показаны ограничения, которые накладываются на процесс фотолитографии. Приведена теория электронной эмиссии, используемая для моделирования формирования электронного пучка. Описан эффект близости, который вносит ограничения в точность формирования изображения при электронной литографии. Показаны способы коррекции эффекта близости. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника". ...
Загружено 2017-08-25

Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур: моделирование наносистем методами молекулярной динамики

АвторыС.Ю. Юрчук
ИздательствоМИСиС
Год издания2013
Цель курса лекций - ознакомить студентов с методами моделирования процессов выращивания наноструктур. Даны основные представления о методе Монте-Карло, основанном на выборе случайных процессов. Представлены приложения метода Монте-Карло для моделирования взаимодействия частиц. Даны основные представления моделирования выращивания нанопленок методом молекулярной динамики, с помощью которого можно численно интегрировать классические уравнения движения и проследить траекторию движения атомов и молекул в некотором конечном временном интервале, не превышающем нано- или микросекунду. Показаны примеры результатов моделирования роста нанослоев. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника". ...
Загружено 2017-08-25

Основы технологии электронной компонентной базы. Моделирование технологических процессов получения тонкопленочных материалов

АвторыРабинович О.И., Крутогин Д.Г., Евсеев В.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
В пособии излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля в рамках курса "Основы технологии электронной компонентной базы".<br> Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника" в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении лабораторных работ, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ. ...
Загружено 2019-10-26

Элионная технология в микро- и наноиндустрии : неразрушающие методы контроля процессов осаждения и травления наноразмерных пленочных гетерокомпозиций

АвторыКузнецов Г.Д., Сергиенко А.А., Симакин С.Б., Курочка С.П., Курочка А.С.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
В учебном пособии рассматриваются неразрушающие методы контроля технологических процессов нанесения и травления наноразмерных пленочных гетерокомпозиций при использовании ионно-плазменного воздействия на материалы. Анализируются как традиционные способы контроля процессов ионно-плазменной обработки материалов электронной техники, так и специфические, связанные с применением возникающих факторов при взаимодействии ускоренных ионов с твердым телом. Особое внимание уделено использованию возникающего ионно-индуцированного тока в многослойных наноразмерных гетероструктурах и вторичной ионно-электронной эмиссии при ионном воздействии на материалы. По каждой теме приводится перечень контрольных вопросов для проверки усвоения материала и выдаются домашние задания с примером выполнения. Учебное пособие предназначено для магистров, обучающихся по направлениям "Электроника и наноэлектроника", "Нанотехнология и микросистемная техника" и может быть полезно обучающимся по направлениям "Наноматериалы" и "Физика". ...
Загружено 2017-08-25

Конструирование компонентов и элементов микро- и наноэлектроники

АвторыВ.П. Сушков, Г.Д. Кузнецов, О.И. Рабинович
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
В пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов, описывающих свойства материалов и приборов на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов III группы и их твердых растворов. Рассматривается пример моделирования диода с p-n-переходом на основе гетероструктур AlGaAs и солнечных элементов. Приводятся основные физические сведения о программе SimWindows. Пособие соответствует программе курса "Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники". Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника" в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ. ...
Загружено 2017-08-25

Элионная технология в микро- и наноиндустрии : ускоренные ионы

АвторыКузнецов Г.Д., Кушхов А.Р., Сергиенко А.А., Харламов Н.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
В учебном пособии рассматриваются в основном практические результаты по изменению параметров приповерхностных слоев материалов электронной техники ионным внедрением примесей. Приводятся результаты по особенностям распределения внедренной примеси в аморфных и кристаллических материалах и их теоретическое обоснование. Анализируются результаты по легированию приповерхностных слоев с использованием так называе- мых атомов отдачи при ионном внедрении. Соответствует программе курса "Элионная технология в микро- и наноиндустрии". Предназначено для магистров, специализирующихся по направлениям "Электроника и наноэлектроника" и "Нанотехнология и микросистемная техника", и может быть полезно обучающимся по направлению "Наноматериалы". ...
Загружено 2017-08-25

Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом : ускоренные электроны : учеб. пособие

АвторыКузнецов, Г.Д.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
Учебное пособие посвящено основам физики взаимодействия ускоренных электронов с твердым телом, широко применяемых в электронике. Рассматривается энергетика и основные взаимодействия электронов с веществом в зависимости от их энергии. Анализируются особенности взаимодействия электронов с тонкопленочными гетерокомпозициями, включая дефектообразование. Рассматриваются основы теории электронно-лучевого нагрева облучаемого электронами твердого тела. В каждой главе приводятся контрольные вопросы для проверки усвоения материала, темы практических занятий и индивидуальных домашних заданий. Учебное пособие подготовлено по рекомендации горно-металлургической секции PAEН. Соответствует программе курса "Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом". Предназначено для бакалавров и магистров, обучающихся по направле- нию "Электроника и наноэлектроника" и может быть полезно для обучаю- щихся по направлению "Нанотехнологии и микросистемная техника". ...
Загружено 2017-08-25

Процессы получения наночастиц и наноматериалов. Нанотехнологии : нанотехнологии

АвторыДзидзигури, Э.Л.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
В учебном пособии рассмотрены вопросы терминологии в области нанотехнологий, проанализирована взаимосвязь размерных эффектов и области применимости нанотехнологий, описаны основные группы нанотехнологий, дана характеристика ряда новых, промышленно освоенных нанотехнологий. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210602 "Наноматериалы", 210100 "Электроника и наноэлектроника", а также для студентов других направлений, преподавателей, аспирантов и слушателей курсов повышения квалификации. ...
Загружено 2017-08-25

Соврменные методы исследования наноструктур: метод оптической поверхностно-плазмонной микроскопии

АвторыВалянский С.И., Наими Е.К.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
Настоящее пособие является первым из планируемых учебных пособий под общим названием "Современные методы исследования наноструктур". Цель данного пособия - дать представление о бурно развивающемся в последнее время методе исследования вещества с помощью поверхностных плазмон-поляритонных волн и, в частности, о методе оптической поверхностно-плазмонной микроскопии. Рассмотрены вопросы теории взаимодействия электромагнитных волн с веществом (нормальная и аномальная дисперсия), условия возбуждения и распространения поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) на границе раздела металл - диэлектрик, дисперсионное соотношение для ПЭВ, различные типы ПЭВ. Описаны существующие методы получения и регистрации ПЭВ. Приведены многочисленные примеры применения поверхностного плазмонного резонанса (ППР), в том числе: определение оптических характеристик металлов с помощью ПЭВ, оптический микроскоп на поверхностных плазмонах, ППР-спектроскопия биомолекул, сенсорные устройства и др. Дается представление о новом классе материалов - метаматериалах и возможностях их применения (суперлинза, фотонные кристаллы). Очерчены направления развития новых отраслей науки и техники, таких как нанофотоника и плазмоника. <br>Содержание пособия соответствует учебной программе курса "Наноматериалы". <br>Предназначено для самостоятельной работы студентов магистратуры и аспирантов, обучающихся по направлениям 150100 (Металлургия) и 210602 (Электроника и наноэлектроника). ...
Загружено 2019-12-25

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники

АвторыТаперо К.И.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
В курсе лекций по дисциплине "Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения" рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства.<br> Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника" и по специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено 2019-10-24

Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур

АвторыКовалев А.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники - биполярных и полевых транзисторов - в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3-1,5 мкм. ...
Загружено 2019-09-19

Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур: диффузия

АвторыЮ.В. Осипов, М.Б. Славин
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
В учебном пособии представлены выводы уравнения диффузии и уравнения Пуассона. Получено уравнение диффузии, учитывающее наличие электрического поля в области контакта двух различных материалов. Рассмотрено влияние химических реакций на процессы диффузии. Приведены решения диффузионных задач, в которых учтено: отличие коэффициентов диффузии на различных границах раздела фаз, присутствие внутреннего электрического поля, наличие химических реакций в области контакта материалов. Представлены программы на языке С++, дающие возможность читателю самостоятельно решать задачи, указанные выше, и их комбинации. Соответствует государственному образовательному стандарту дисциплины "Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и нано-структур". Предназначено для магистров, обучающихся по направлениям 210100 "Электроника и наноэлектроника" и 150100 "Материаловедение и технологии материалов". ...
Загружено 2017-08-25