**Данные блоки поддерживают скрол
**Данные блоки поддерживают скрол вверх/вниз
Все издания издательства "МИСиС" по электронике и автоматике
Методики определения параметров вакуумных систем
АвторыС.Л. Григорович, Г.Д. Кузнецов, С.П. Курочка, И.В. Лобачев, В.А. Никоненко
ИздательствоМИСиС
Год издания2002
Лабораторный практикум выполняется по курсу "Вакуумная техника". В нем рассматриваются методики определения параметров работы форвакуумных насосов, их устройство и режимы их эксплуатации. Описаны устройства для измерения вакуума и определения его параметров. Приводится методика определения параметров вакуумных систем, имеющих различный рабочий объем и межсоединения. Дается методика работы с вакуумметрами различного типа; рассматриваются методики создания высокого вакуума с применением диффузионных насосов и систем безмасляной откачки; анализируются особенности конструкций систем откачки; приводятся методики определения быстроты достижения сверхвысокого вакуума и способы его измерения; дается описание методики определения натекания в вакуумной системе с помощью стандартных систем течеискателей. Предназначен для студентов специальности 200100 и направления 550700. ...
Загружено
2017-08-29
Технология материалов и изделий электронной техники: Выращивание монокристаллов из расплавов
АвторыАнтипов В.В., Розин К.М.
ИздательствоМИСиС
Год издания2002
Изложены важнейшие методы выращивания монокристаллов из расплава, их детальный анализ, основные требования к промышленному оборудованию, характеристики отдельных технологических операций. В большинстве работ используется современный математический аппарат, необходимый не только для описания разнообразных кристаллизационных процессов, но и для поисков путей повышения однородности выращиваемых кристаллов. В практикум включены также многие новейшие перспективные технологические разработки. Рассмотрены вопросы выбора методов выращивания , механизмы формирования ростовых дефектов, проблемы повышения однородности выращиваемых из расплава монокристаллических материалов и др. Лабораторный практикум предназначен для студентов специализации "Техническая физика" направления 553100. Соответствует Государственному образовательному стандарту программы "Физика кристаллов оптики и акустоэлектроники". ...
Загружено
2017-08-25
Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
АвторыЛадыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2001
В пособии кратко изложены современные теоретические представления об образовании первичных дефектов в объеме полупроводника, приведены формулы для расчета основных электрофизических параметров монокристаллических полупроводников при воздействии быстрых частиц и гамма-квантов в широком диапазоне энергий. Цель пособия заключается в приобретении практических навыков выполнения расчета полного числа неравновесных смещений атомов в единице объема полупроводникового монокристалла при облучении различными видами частиц и гамма-квантов надпороговых энергий. Приведены точные значения фундаментальных физических констант, необходимых для расчетов, а также наглядные графические зависимости рассчитываемых параметров от условий облучения для кремния, которые полезно использовать для самопроверки результатов расчета. <br>Пособие предназначено для студентов специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", выполняющих курсовые работы по дисциплине "Основы лучевой технологии микроэлектроники", а также пособие будет полезно студентам, аспирантам и специалистам, выполняющим дипломные и научно-исследовательские работы в области радиационной физики, материаловедения, технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. ...
Загружено
2019-10-27
Моделирование полупроводниковых приборов
АвторыЮрчук С.Ю., Мурашев В.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2001
Данный курс лекций является частью курса "Моделирование технологических процессов". В нем приведены основные уравнения, описывающие работу полупроводниковых приборов, и основные подходы к их решению, применяемые при моделировании; предложены примеры моделирования работы основных полупроводниковых приборов, являющихся элементами интегральных схем; показаны способы упрощения решения базовой системы уравнений для разных приборов. <br>Решение уравнений и численные алгоритмы не рассматриваются, так как этот материал должен прорабатываться на практических занятиях и при выполнении лабораторных работ. <br>Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам "Физика твердого тела", "Физика полупроводниковых приборов и ИС", а также иметь представления об основных численных методах.<br> Предназначен для студентов направления 654100 "Электроника и микроэлектроника" специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" (специализация "Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов"). ...
Загружено
2019-11-01
Электротехника и электроника
АвторыМаняхин Ф.И., Фединцев В.Е.
ИздательствоМИСиС
Год издания2001
Лабораторный практикум содержит краткую инструкцию пользователя программы Electronics Workbench интерактивной работы с виртуальными электрическими и электронными цепями. Он состоит из двух частей, соответствующих разделам учебных планов указанных специальностей "Электротехника" и "Электроника" в которые входят 8 лабораторных работ. Настоящий практикум отличается тем, что позволяет студентам в часы самостоятельной работы получать практические навыки работы с электрическими цепями и электронными схемами, использовать виртуальную программу Electronics Workbench для проверки правильности теоретических расчетов в рамках домашних заданий и курсовых работ. ...
Загружено
2019-10-27
Технология эпитаксиальных слоев и гетерокомпозоций
АвторыКожитов Л.В., Крапухин В.В., Улыбин В.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2001
Даны краткая история и пути и перспективы развития микроэлектроники, в частности, в области технологии эпитаксиальных гетерокомпозиций. <br>Кратко описаны процессы парофазной эпитаксии химическим осаждением и жидкофазной эпитаксии кремния, соединений ΑΙΠΒν и их твердых растворов, применяемого оборудования. Приведены математические модели этих процессов, включающие термодинамический и кинетический блоки. При получении гетерокомпозиций учитываются упругие напряжения и рассматриваются пути их устранения, в частности, создание изопериодных композиций и сверхрешеток. <br>Кроме того, приведены восемь комплексных задач для самостоятельного вычислительного эксперимента при выборе параметров процесса, а также процедура решения задач с использованием разработанного пакета программ на ПЭВМ. <br>Предназначено для студентов, обучающихся по специальности 200100 (направление 654100), а также для научных сотрудников и инженеровтехнологов, занимающихся разработкой систем управления и оптимизации технологических процессов. ...
Загружено
2019-09-23
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов, ИС и БИС. Раздел: Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом
АвторыЛадыгин Е.А., Мурашев В.Н., Лагов П.Б.
ИздательствоМИСиС
Год издания2000
В пособии представлен метод расчета и анализа параметров КМОП-схем с минимальными топологическими размерами 1,25 мкм; учтен ряд основных параметров и физических эффектов, существенных для МОП-транзистора с коротким каналом: концентрация примеси в подложке, снижение потенциального барьера под действием стока, эффекты горячих электронов, пробивное напряжение переходов, насыщение скорости носителей и т. д.<br> В пособии показано, как с помощью достаточно простых аналитических выражений можно определить базовые конструктивно-технологические параметры ИС и рассчитать динамические параметры весьма близкие к тем, которые дает более детальное моделирование по пакетам программ схемотехнического моделирования MicroCap и PSPICE. <br>Предполагается, что студенту известны физические принципы работы МОП-транзисторов, и поэтому они не рассматриваются. ...
Загружено
2019-10-27
Панель управления
Читайте книги в приложении Консутльтант Студента на iOS, Android или Windows