Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Глава 4. Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
Глава 1. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
+
Глава 2. Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате введения структурных дефектов при радиационном облучении
+
Глава 3. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2
+
Глава 4. Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур
-
4.1. Изменение характеристик МОП-транзисторов и логических КМОП-элементов прирадиационномоблучении
4.2. Влияние конструктивно-технологических характеристик на радиационную стойкость МОП-структур
4.3. Радиационные эффекты в МОП-структурах с ультратонкими оксидами
4.4. Некоторые особенности дозовых радиационных эффектов в МДП-структурах с альтернативными диэлектриками
4.5. Влияние полевых оксидов на радиационную стойкость ИС
4.6. Особенности проявления дозовых радиационных эффектов в микросхемах, изготовленных по КНИ-технологии
Глава 5. Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП-и КМОП-структур
+
Глава 6. Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект ELDRS)
+
Глава 7. Одиночные события в БИС при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
+
Список литературы
Список сокращений
Данный блок поддерживает скрол*