Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Получение тонких пленок реактивным магнетронным распылением
Глава 1. Причины нестабильности реактивного распыления
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Сведения об авторах
Введение. Особенности реактивного магнетронного распыления
Глава 1. Причины нестабильности реактивного распыления
-
1.1. Два стабильных состояния мишени в процессе реактивного распыления
1.2. Поглощение реактивного газа растущей пленкой химического соединения
1.3. Переходы между двумя стабильными состояниями мишени
1.4. Данные о коэффициентах распыления окислов и нитридов на поверхности мишени
Глава 2. Механизмы взаимодействия реактивного газа с поверхностью мишени
+
Глава 3. Стабилизация и управление реактивным разрядом с помощью внешних по отношению к разряду устройств контроля
+
Глава 4. Изменение электрических параметров реактивного разряда при изменении состояния поверхности мишени
+
Глава 5. Стабилизация процесса реактивного магнетронного распыления по электрическим параметрам разряда
+
Глава 6. Достижение долговременной стабильности процесса реактивного магнетронного распыления
+
Глава 7. Влияние температуры мишени на процесс реактивного распыления
+
Глава 8. Влияние температуры подложки на скорость роста и состав пленки в реактивном процессе
Глава 9. Особенности проведения, контроля и стабилизации реактивного HiPIMS-процесса
+
Глава 10. Альтернативные способы устранения гистерезиса из характеристик реактивного процесса
+
Глава 11. Некоторые способы повышения эффективности процессов реактивного нанесения тонких пленок
+
Глава 12. Заключительная
+
Литература
Данный блок поддерживает скрол*