Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Глава 10. МОСГЭ полупроводников AIIBVI
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 8 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
Глава 1. Общая характеристика метода
Глава 2. Термодинамические и кинетические аспекты МОСГЭ
Глава 3. Массоперенос
Глава 4. Источники, используемые для получения ЭС AIIIBV и AIIBVI
Глава 5. Механизмы и кинетика химических реакций
Глава 6. Процессы на поверхности роста
Глава 7. Оборудование МОСГЭ
Глава 8. Моделирование МОСГЭ
Глава 9. МОСГЭ полупроводников AIIIBV
Глава 10. МОСГЭ полупроводников AIIBVI
Глава 11. Другие классы материалов
Данный блок поддерживает скрол*