Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологий
Глава 6. Подготовка подложек (эвтектическая композиция InSb+MnSb) для жидкофазной эпитаксии гетероструктуры ферромагнетик - полупроводник (InSb)
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
Глава 1. Процессы молекулярно-лучевой эпитаксии
+
Глава 2. Методы контроля в установках молекулярно-лучевой эпитаксии
+
Глава 3. Исследование релаксации напряжений при гетероэпитаксии
+
Глава 4. Моделирование процесса получения пленок поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы
+
Глава 5. Моделирование процесса оптимизации размера зерна и удельного сопротивления пленки поликристаллического кремния
+
Глава 6. Подготовка подложек (эвтектическая композиция InSb+MnSb) для жидкофазной эпитаксии гетероструктуры ферромагнетик - полупроводник (InSb)
-
6.1. Теоретическое введение
6.1.1. Выращивание кристаллов из расплава
6.1.2. Методы нормальной направленной кристаллизации
6.1.3. Система InSb-MnSb
6.2. Подготовка ампул и подложек для ЖФЭ гетероструктуры ферромагнетик (эвтектическая композиция InSb+MnSb)
Приложение для выполнения лабораторных работ
+
Данный блок поддерживает скрол*