Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов, ИС и БИС. Раздел: Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом
3. Основные электрофизические параметры МОП-приборов
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
1. Выбор базового структурно-топологического варианта МОП-транзистора
2. Выбор степени легирования подложки
3. Основные электрофизические параметры МОП-приборов
-
3.1. Основные расчетные формулы
3.2. Технологические режимы для задания порогового напряжения и напряжений инверсии
4. Динамические параметры КМОП-приборов
+
Заключение
Список условных обозначений
Данный блок поддерживает скрол*