Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Глава 5. Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП-и КМОП-структур
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
+
Глава 2. Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате введения структурных дефектов при радиационном облучении
+
Глава 3. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2
+
Глава 4. Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур
+
Глава 5. Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП-и КМОП-структур
-
5.1. Корреляция между отдельными транзисторами и микросхемами
5.2. Наихудший электрический режим
5.3. Влияние на радиационную стойкость высокотемпературной нагрузки перед облучением
5.4. Выбор источников ионизирующих излучений при проведении радиационных испытаний МОП и КМОП ИС
5.5. Процедуры радиационных испытаний, учитывающие влияние факторов низкой интенсивности облучения
Глава 6. Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект ELDRS)
+
Глава 7. Одиночные события в БИС при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
+
Список литературы
Список сокращений
Данный блок поддерживает скрол*