ЭБС "КОНСУЛЬТАНТ СТУДЕНТА"
11.00.00 Электроника, радиотехника и системы связи (МИСиС)
Все издания
Показано 49..64 из 75

11.00.00 Электроника, радиотехника и системы связи (МИСиС)

Электротехника и электроника: Проектирование маломощного источника вторичного электропитания

АвторыКнязькова Т.О.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
Учебно-методическое пособие предназначено для выполнения курсовой работы или домашнего задания по курсу "Электроника". В пособии предложено теоретическое введение, где изложены принципы работы основных элементов и блоков источника вторичного электропитания, показаны методы расчета параметров элементов. Приведен пример инженерного проектирования маломощного источника вторичного питания. Учебно-методическое пособие предназначено для студентов специальностей 140400, 210100, 150601, 210104, 280101, 15005, 150108, 280200, 200503. ...
Загружено 2019-09-19

Электротехника и электроника: Электротехника в программной среде Multisim

АвторыАнисимова М.С., Маняхин Ф.И., Попова И.С., Колистратов М.В.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
Изложены основные теоретические сведения и расчетные формулы по темам лабораторных работ по электротехнике. Приведены описания схем электрических цепей и устройств, смоделированные в программной среде Multisim, даны общие методические рекомендации к выполнению лабораторных работ, обработке данных и оформлению отчетов о работах.<br> Предназначен для студентов специальностей 010700, 130405, 150101, 150102, 150103, 150104, 150105, 150106, 150108, 150109, 150404, 150701, 150702, 200503, 210602, 220301, 280101, 280200 при выполнении лабораторных работ по курсу "Электротехника и электроника". ...
Загружено 2019-09-04

Основы математического моделирования

АвторыЮрчук С.Ю., Орлова М.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
В учебном пособии рассматриваются методы решения задач линейных и нелинейных уравнений, методы теории приближения функций, численное дифференцирование и интегрирование, решение обыкновенных дифференциальных уравнений, моделирование процессов диффузии на языке Visual Basic 6.0; содержится практическое руководство объектно-ориентированного программирования на языке Visual Basic 6.0. <br>Соответствует программе курса "Основы математического моделирования". <br>Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника" и специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено 2020-01-06

Гетероструктурная наноэлектроника

АвторыКовалев А.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
Пособие посвящено анализу нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3.. .1,5 мкм.<br>Предназначено для студентов, обучающихся по специальности "Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника" и направлению "Электроника и микроэлектроника". ...
Загружено 2020-01-05

Вакуумная и плазменная электроника

АвторыКурочка С.П., Кузнецов Г.Д., Курочка А.С.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
Рассматриваются физические основы вакуумной и плазменной электроники и основные направления их применения. Анализируются возможности создания, управления и транспортировки электронных потоков. Рассматриваются физические основы эмиссионной электроники. Анализируются электрические явления в газоразрядном промежутке, примеры преобразования потоков ионизированных частиц и режимы работы плазменных дисплеев. <br>Содержание курса соответствует государственному образовательному стандарту по направлению "Электроника и микроэлектроника".<br> Предназначено для студентов-бакалавров, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника". ...
Загружено 2019-10-27

Элионная технология в микро- и наноиндустрии

АвторыКузнецов Г.Д., Кушхов А.Р., Билалов Б.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2008
В учебном пособии рассматриваются закономерности изменения параметров тонкопленочных гетерокомпозиций материалов электронной техники при воздействии электронных, ионных потоков и низкотемпературной плазмы для микро- и наноразмерных устройств с улучшенными характеристиками. Цель данного пособия - формирование современных представлений и достижений в области микро- и наноиндустрии. <br>Учитывая, что в рассматриваемых процессах основную роль играют электроны и ионы, принято для краткости называть технологию элионной. <br>Соответствует программе курса "Элионная технология в микро- и наноиндустрии".<br> Предназначено для подготовки специалистов по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника" и может быть полезно для обучающихся по направлению 210600 "Нанотехнология", 210601 "Нанотехно-логия в электронике" и по специальности 210602 "Наноматериалы". ...
Загружено 2020-01-03

Элементы и устройства магнитоэлектроники

АвторыКрутогин Д.Г.
ИздательствоМИСиС
Год издания2008
Лабораторный практикум по курсу "Элементы и устройства магнитоэлектроники" имеет целью обеспечить формирование у студентов навыков радиофизических методов определения магнитных параметров ферритовых материалов, обработки экспериментальных результатов с использованием компьютера, численного моделирования зависимости динамических параметров ферритов от напряженности и частоты магнитного поля.<br> По сравнению с предыдущим практикумом предусмотрены возможности индивидуализации и усложнения задач лабораторных работ, использования более современных измерительных приборов, дополнительные задания метрологического характера по оценке точности и анализу источников погрешностей измерений. <br>Предназначен для студентов, обучающихся по специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено 2019-10-27

Ионно-плазменная обработка материалов

АвторыКузнецов Г.Д., Кушхов А.Р.
ИздательствоМИСиС
Год издания2008
В курсе лекций рассматриваются основные ионно-плазменные процессы в технологии микро- и наноэлектроники. Приводится классификация процессов травления и осаждения тонких пленок материалов электронной техники и гетероструктур на их основе. Рассматриваются особенности селективного и анизотропного травления наноразмерных слоистых материалов при различных способах вакуум-плазменных процессов. Обсуждаются проблемы получения химически чистой поверхности подложек, а также возможные случаи повреждения и изменения шероховатости приповерхностного слоя. Анализируются возможности ионного синтеза и кристаллизации пленок при различных условиях ионного воздействия на поверхность обрабатываемого материала. Приводятся примеры использования ионно-плазменных процессов для создания элементов микро- и наноэлектроники. <br>Курс лекций подготовлен по рекомендации горно-металлургической секции РАЕН. <br>Содержание соответствует государственному образовательному стандарту по направлению "Электроника и микроэлектроника".<br> Предназначено для студентов (бакалавров и магистров), обучающихся по направлениям 210100 "Электроника и микроэлектроника", 210600 "Нанотехнология". ...
Загружено 2019-10-27

Микро- и нанотехнологии пленочных гетерокомпозиций

АвторыКузнецов Г.Д., Симакин С.Б., Демченкова Д.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2008
В курсе лекций рассматриваются принципы построения, организации и функционирования наноразмерных гетерокомпозиций, физико-химические основы метода Ленгмюра - Блоджетт, ионно-плазменного получения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, проблемы деградации параметров пленочных структур. Анализируются эффекты размерного квантования в полупроводниковых наноструктурах, закономерности ионно-плазменного получения пленок нитридов металлов и карбида кремния, а также формирования топологии микросхем с применением неразрушающих методов контроля. Обсуждаются и анализируются особенности технологии молекулярно-пучковой и МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых соединений. Излагаются основы синтеза сверхрешеток алмазоподобных широкозонных материалов и структурно-ориентационного изоморфизма. <br>Приводятся примеры создания микро- и наноразмерных приборов микросистемной техники с использованием ионных процессов. <br>Содержание курса лекций соответствует программе.<br> Предназначен для студентов (бакалавров и магистров), обучающихся по направлениям 210100 "Электроника и микроэлектроника", 210600 "Нанотехнология", 210601 "Нанотехнология в электронике" и по специальности 210602 "Наноматериалы". ...
Загружено 2019-10-27

Материалы и элементы электронной техники. Тонкопленочные многослойные структуры и солнечные элементы на основе гидрогенизированного аморфного и нанокристаллического кремния

АвторыПолисан А.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2007
В учебном пособии рассмотрены базовые технологические процессы, использующиеся при изготовлении тонкопленочных многослойных структур и солнечных элементов на основе гидрогенизированного аморфного и нанокристаллического кремния. Приведены конструктивные особенности таких приборов. Для усвоения предлагаемого материала студенту необходимо знать физические принципы работы солнечных элементов. <br>Пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальностям 150601 "Материаловедение и технология новых материалов" и 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено 2020-01-06

Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+-p-p+(p+-n-n+)-типа

АвторыПолисан А.А., Астахов В.П.
ИздательствоМИСиС
Год издания2007
В методических указаниях рассматриваются принципы расчета режимов ионной имплантации при формировании структур n+-p-p+(p+-n-n+)-типа и профилей распределения имплантированной примеси. Излагается методика расчета в программе Math Cad 2001. <br>Методические указания предназначены для студентов, обучающихся по специальностям 150601 "Материаловедение и технология новых материалов" и 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено 2020-01-06

Процессы микро- и нанотехнологии. Ионно-плазменные процессы

АвторыКузнецов Г.Д., Курочка С.П., Кушхов А.Р., Демченкова Д.Н., Курочка А.С.
ИздательствоМИСиС
Год издания2007
Лабораторный практикум выполняется по курсам "Основы высоких технологий", "Процессы микро- и нанотехнологии" и "Микротехнология слоистых материалов и покрытий". <br>В нем рассматриваются основы физики взаимодействия ускоренных низкоэнергетических ионов с твердым телом, практические возможности использования эффектов ионного воздействия для получения и травления микро- и наноразмерных пленочных гетерокомпозиций. Приводится методика расчета параметров различных технологических ионно-плазменных процессов обработки тонких пленок и покрытий. Дается методика определения экспериментальных параметров процессов осаждения и травления на реальных промышленных установках.<br> Практикум предназначен для студентов и магистров, обучающихся по направлению "Электроника и наноэлектроника", специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено 2020-01-03

Материалы и элементы электронной техники: Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев

АвторыПолисан А.А., Астахов В.П.
ИздательствоМИСиС
Год издания2007
В практикуме рассматриваются принципы расчета режимов термического окисления, обеспечивающего заданную толщину маскирующей оксидной пленки, и режимов диффузии при формировании легированных слоев с заданными параметрами для кремниевых приборных структур. Излагается методика расчетов в программе Math Cad 2001. <br>Соответствует программе курса "Материалы и элементы электронной техники". <br>Предназначен для студентов, обучающихся по специальностям 150601 "Материаловедение и технология новых материалов" и 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено 2019-10-29

Расчет частоты и вероятности возникновения одиночных сбоев в БИС

АвторыТаперо К.И.
ИздательствоМИСиС
Год издания2006
Излагаются вопросы, связанные с решением задач, необходимых для выполнения курсовой работы "Расчет частоты и вероятности возникновения одиночных сбоев в БИС" по дисциплине "Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения". <br>Методические указания содержат теоретические сведения, постановку задачи и исходные данные для курсовой работы, способы решения поставленных задач. Кроме того, приведен пример выполнения всех необходимых расчетов. <br>Предполагается, что выполнение курсовой работы будет проводиться студентами с использованием ЭВМ. При этом возможно использование любых программных средств. Одним из наиболее оптимальных вариантов представляется использование для решения поставленных задач среды Mathcad. <br>Предназначены для студентов, обучающихся по специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено 2019-11-01

Полупроводниковые оптоэлектронные приборы

АвторыЮрчук С.Ю., Диденко С.И., Кольцов Г.И.
ИздательствоМИСиС
Год издания2006
Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам "Физика твердого тела", "Физика полупроводниковых приборов", "Квантовая и оптическая электроника". Предназначен для студентов специальности 210104 (2001) "Микроэлектроника и твердотельная электроника" (специализация "Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов"). ...
Загружено 2017-08-29

Технология материалов электронной техники. Атомно- молекулярные процессы кристаллизации

АвторыКузнецов Г.Д.
ИздательствоМИСиС
Год издания2006
Рассматриваются теоретические вопросы процессов роста объемных монокристаллов и пленок на атомно-молекулярном уровне. Анализируются существующие представления о механизме формирования кристалла с учетом начальных стадий его зарождения. Обсуждаются и анализируются особенности кристаллизации при различной движущей силе процесса. Описаны особенности молекулярно-лучевой эпитаксии. По большинству рассматриваемых разделов приводятся примеры расчетов параметров процесса кристаллизации. Для студентов обучающихся по направлениям 210100 "Электроника и микроэлектроника", 658300 "Нанотехнология", 150702 "Физика металлов" и специальностям 210104 "Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника" и 202100 "Нанотехнология в электронике". ...
Загружено 2017-08-25