Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы кремниевой наноэлектроники
Глава 6. Эффекты сильных электрических полей
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
Глава 1. Базисные физические уравнения
+
Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии
+
Глава 3. Структуры металл-окисел-полупроводник
+
Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ
+
Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ
+
Глава 6. Эффекты сильных электрических полей
-
6.1. Квазидвумерная модель распределения сильных электрических полей в районе стока
6.2. Моделирование максимальных электрических полей в канале МОПТ
6.3. Горячие носители
6.4. Методы борьбы с горячими носителями
6.5. Разогрев носителей и "удачливые" электроны
6.6. Моделирование ударной ионизации в канале
6.7. Влияние тока подложки на работу МОПТ
6.8. Влияние горячих носителей на срок службы МОПТ
6.9. Методика прогнозирования срока службы транзистора в зависимости от воздействия горячих носителей
Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ
+
Глава 8. Транзисторы технологии "кремний-на-изоляторе"
+
Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий
+
Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах
+
Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах
+
Литература
Приложения
Данный блок поддерживает скрол*