Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Твердые растворы на основе карбида кремния.
Глава 6. Электрофизические свойства гетероструктур n-(SiC)/p-(SiC)1-x(A1N)x
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
Глава 1. Термодинамика формирования твердых растворов на основе широкозонных полупроводниковых соединений AIIIBV и AIIBVI
Глава 2. Физико-технологические основы газофазной и жидкофазной технологии твердых растворов на основе карбида кремния
Глава 3. Морфология и структурные свойства твердых растворов на основе карбида кремния
Глава 4. Электрофизические свойства твердых растворов на основе карбида кремния
Глава 5. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов на основе карбида кремния
Глава 6. Электрофизические свойства гетероструктур n-(SiC)/p-(SiC)1-x(A1N)x
Глава 7. Изо- и гетеровалентные твердые растворы в системах SiC-карбиды: Nb, Ti, Zr
Глава 8. Приборы на основе карбида кремния и родственных материалов
Приложение. Результаты термодинамического анализа взаимодействия компонентов в газовой фазе при образовании твердых растворов на основе SiC
Список литературы
Данный блок поддерживает скрол*