Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Входной и технологический контроль материалов и структур в твердотельной СВЧ электронике (лабораторные работы)
Лабораторная работа № 5. Определение сопротивления, концентрации и подвижности двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах методом Ван-дер-Пау
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Лабораторная работа № 1. Измерение удельного сопротивления пластин, эпитаксиальных и металлизационных слоев четырехзондовым методом
Лабораторная работа № 2. Определение параметров структур "металл-диэлектрик-полупроводник" (МДП) по измерению высокочастотных вольт-фарадных характеристик
Лабораторная работа № 3. Определение параметров структур "металл-диэлектрик-полупроводник" (МДП) по измерению низкочастотных вольт-фарадных характеристик
Лабораторная работа № 4. Определение профиля распределения примесей по измерению вольт-фарадных характеристик диодов Шотки
Лабораторная работа № 5. Определение сопротивления, концентрации и подвижности двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах методом Ван-дер-Пау
Лабораторная работа № 6. Контроль толщины кремния в КНС- и КНИ-структурах
Лабораторная работа № 7 Определение структурных дефектов в полупроводниковых материалах
Лабораторная работа № 8. Метод рентгеновской дифрактометрии
Лабораторная работа № 9. Метод растровой электронной микроскопии
Лабораторная работа № 10. Построение карт "желтой" фотолюминесценции гетероструктур AlGaN/GaN
Лабораторная работа № 11. Контроль полупроводниковых структур при помощи микроинтерферометра МИИ-4
Лабораторная работа № 12. Определение параметров диэлектрических покрытий методом эллипсометрии
Лабораторная работа № 13. Определение оптических констант металлических пленок методом эллипсометрии
Лабораторная работа № 14. Определение толщины тонких металлических пленок методом эллипсометрии
Лабораторная работа № 15. Определение структурных дефектов в пластинах SiC поляризационным методом
Данный блок поддерживает скрол*