Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Глава 3. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
Глава 1. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
+
Глава 2. Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате введения структурных дефектов при радиационном облучении
+
Глава 3. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2
-
3.1. Особенности строения структуры Si/SiO2
3.1.1. Особенности строения диоксида кремния
3.1.2. Особенности строения границы раздела Si/SiO2
3.1.3. Влияние водорода и водородсодержащих соединений на свойства структуры Si/SiO2
3.2. Методы исследований заряда в оксиде и плотности поверхностных состояний
3.2.1. Метод вольт-фарадных характеристик
3.2.2. Метод подпороговых вольт-амперных характеристик
3.2.3. Методы, основанные на измерении надпороговой вольт-амперной характеристики транзисторов
3.2.4. Метод накачки заряда
3.3. Накопление и релаксация зарядов в структуре Si/SiO2 при радиационном облучении и отжиге
3.3.1. Общее описание процессов накопления заряда в структурах Si/SiO2 при радиационном облучении
3.3.2. Выход заряда
3.3.3. Перенос дырок через SiO2
3.3.4. Накопление и нейтрализация заряда на ловушках в оксиде
3.3.5. Механизм нейтрализации заряда в оксиде
3.3.6. Особенности накопления поверхностных состояний при радиационном облучении
3.3.7. Латентное накопление поверхностных состояний
3.3.8. Накопление поверхностных состояний в зависимости от интенсивности излучения
3.3.9. Отжиг поверхностных состояний
3.3.10. Механизм накопления поверхностных состояний
3.3.11. Граничные ловушки
Глава 4. Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур
+
Глава 5. Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП-и КМОП-структур
+
Глава 6. Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект ELDRS)
+
Глава 7. Одиночные события в БИС при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
+
Список литературы
Список сокращений
Данный блок поддерживает скрол*